晶圓封裝等離子清洗機報價：誠峰智造

全自動On-Line式AP等離子處理系統CRF-APO-500W-XN

名稱（Name）

全自動On-Line式AP等離子處理系統

型號（Model）

CRF-APO-500W-XN

電源（Power supply）

380V/AC,50/60Hz

等離子功率（Plasma power）

10KW（Max）/40KHz（Option）

**處理寬幅（Processing width）

120mm-1200mm（Option）

**處理高度（Processing　 height）

3mm~8mm（Max）

處理速度（Processing speed）

0-8m/min

工作氣體（Gas）

N2/N2+CDA

產品特點： 內置式冷卻系統，提高和保證設備的使用壽命和性能；

靈活On-Line安裝方式，電子和離子的能量可達10eV以上，

材料批處理的效率可高于低氣壓輝光放電裝置效率10倍以上。

應用范圍：應用于FPC＆PCB表面處理，復合型材料，玻璃，ITO等行業領域的表面處理。

晶圓封裝等離子清洗機報價

采用低溫等離子體(非平衡等離子體)作為能量來源，將工件置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電(或另加加熱體)將工件加熱至預定溫度，然后將其通入適量反應氣體中，再通過一系列化學反應和等離子體反應，在工件表面形成固體薄膜。包含了化學氣相沉積和輝光放電強化等通用技術。

粒子之間的碰撞，會產生強烈的氣體離子化，從而**反應氣體。陰極濺射作用同時發生，為沉積薄膜提供了一個具有良好活性的清潔表面。因此，整個沉積過程與僅熱活化過程有明顯的區別。二者的相互作用，為提高涂層的結合力、降低沉積溫度、加快反應速度創造了有利條件。

根據等離子體量源的類型，等離子體化學氣相沉積技術分為直流輝光放電、射頻放電和微波等離子體放電。當CVD反應頻率增加時，等離子體對CVD反應的增強作用越明顯，化合物形成的溫度降低。

PCVD工藝裝置包括沉積室，反應物輸送系統，放電電源，真空系統和檢測系統。氣源用氣體凈化器去除水份和其他雜質，通過調節裝置獲得所需的流量，然后與氣源同時送入沉積室，在一定溫度和等離子體活化等條件下，得到所需的產品，并沉積在工件或基片表面。因此，PCVD的生產過程包含了等離子體物理過程和等離子體化學反應過程。
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