低溫等離子技術(shù)
　　電場激發(fā)出的電子、自由基、激發(fā)態(tài)分子（主要是O3等）等活性物質(zhì)，是低溫等離子體技術(shù)凈化廢氣的關(guān)鍵。VOCs組分解離的難易程度，一方面取決于電子的能量，另一方面還取決于分子中化學(xué)鍵的鍵能。電子在放電過程中獲得的能量主要集中在2~12eV之間，而VOCs分子分解所需要能量剛好均在這個區(qū)域內(nèi)。
　　目前，產(chǎn)生低溫等離子體的常用方法是電暈放電和介質(zhì)阻擋放電。
　　電暈放電，是在大氣壓或高于大氣壓條件下，使用電極表面曲率半徑很小的電極，如針狀電極或細線狀電極，由于放電空間電場不均勻，使電離過程主要局限于局部電場很高的電極附近，特別是發(fā)生在曲率半徑很小的電極附近或薄層中，并伴隨明顯光亮的放電現(xiàn)象，一般都發(fā)生在高電壓（大于5kv）和較高頻率（20～40kHz）條件下。
　　介質(zhì)阻擋放電，是絕緣介質(zhì)覆蓋在電極上或者懸掛在放電空間中的一種氣體放電。當(dāng)在電極上施加足夠高的交流電壓，電極之間的氣體發(fā)生電離，而電極間的介質(zhì)能起到儲能作用，限制放電電流的自由增長，進而產(chǎn)生大量細絲狀、的脈沖微放電，均勻穩(wěn)定地充滿整個放電間隙，同時能級間火花或弧光的產(chǎn)生。
　　采用介質(zhì)阻擋放電方式的等離子體反應(yīng)器，一般都采用陶瓷、石英等介質(zhì)材料，電極與廢氣不直接接觸，從而可以程度避免設(shè)備腐蝕問題。而電暈放電技術(shù)（或針尖放電式）通常是氣體與電極直接接觸的，即使通過的氣體沒有腐蝕性，但等離子體中的活性強氧化物質(zhì)（如臭氧）也可能腐蝕電極。相對而言，采用介質(zhì)阻擋放電方式比電暈放電方式（如針尖放電）。
　　值得注意的是，低溫等離子體技術(shù)主要是將分子中的化學(xué)鍵打斷，但尚未能將物礦化成CO2和H2O。以某治理項目為例，非甲烷總烴的去除率僅為45%，而惡臭的去除率可達。這主要是因為非甲烷總烴經(jīng)過處理后，大分子變成小分子，用色譜法檢測依然表現(xiàn)為非甲烷總烴；而分解過程中產(chǎn)生的部分異味副產(chǎn)物（如臭氧等）亦會對惡臭的去除率有影響。
　　因此，正經(jīng)的低溫等離子體技術(shù)供應(yīng)商，通常還會在等離子反應(yīng)器前配置預(yù)處理系統(tǒng)，去除廢氣中的粉塵和水分，并且也會在反應(yīng)器后再配置后處理系統(tǒng)，延長廢氣與活性物質(zhì)的反應(yīng)時間，同時對多余的活性物質(zhì)（主要是臭氧）進行分解。